半導體所與中南大學共建“黃昆英才班”
為深入貫徹習近平總書記關于加強基礎學科人才培養(yǎng)的重要講話精神，進一步落實中國科學院關于加強科教融合行動計劃精神，2025年4月27日上午，中國科學院半導體研究所與中南大學在中南大學瀟湘校區(qū)舉行聯(lián)合共建“黃昆英才班”合作協(xié)議簽約儀式。中國科學院半導體研究所所長譚平恒，中南大學黨委常委、副校長何軍出席儀式。中南大學物理學院院長孫克輝、黨委副書記安少波、副院長龍孟秋、副院長孫佳等學院領導和教師代表，半導體所人事教育處處長徐艷坤，教師代表魏鐘鳴、鄧惠雄、劉岳陽、劉孔等參加儀式。儀式由龍孟秋主持。
何軍對半導體所一行的到來表示熱烈歡迎，他指出，半導體所作為國家半導體領域的綜合科研機構，為國家半導體領域的發(fā)展做出了巨大貢獻，為半導體行業(yè)培養(yǎng)了大批領軍人才。他表示，當前全球半導體產(chǎn)業(yè)競爭空前激烈，國家對半導體核心技術的戰(zhàn)略需求十分迫切?！包S昆英才班”既是對黃昆院士科學家精神的大力傳承，更是對新時代半導體領域領軍人才培養(yǎng)的使命擔當。中南大學高度重視科教融合，希望以此次黃昆英才班的成立為契機和抓手，進一步推動強強聯(lián)合和優(yōu)勢互補，力爭培養(yǎng)有志于從事半導體事業(yè)的青年領軍人才。期待雙方合作取得新進展新成效，為推動國家半導體科學技術的飛速發(fā)展和拔尖創(chuàng)新人才的自主培養(yǎng)做出新的更大貢獻。
譚平恒在講話中首先感謝了中南大學對“黃昆英才班”建設的支持，他指出，中南大學是享譽海內(nèi)外的著名高等學府，是國家“211”工程、“985”工程重點建設高校，世界一流大學A類建設高校。他隨后介紹了半導體所的發(fā)展歷程，表示半導體所是集半導體物理、材料、器件及其系統(tǒng)集成應用于一體的國家級半導體科學技術的綜合性研究機構，有著雄厚的科研實力和一流的人才隊伍。此次半導體所與中南大學聯(lián)合設立“黃昆英才班”，旨在貫徹落實全國教育大會精神、落實黨中央關于統(tǒng)籌推進教育科技人才體制機制一體改革的部署，通過充分整合高校的人才培養(yǎng)優(yōu)勢與科研院所的科研優(yōu)勢，探索優(yōu)秀本科生人才培養(yǎng)的新機制和新模式，為國家培養(yǎng)半導體物理、材料與器件、集成電路等領域的拔尖人才。希望雙方在人才培養(yǎng)方面進一步加強合作，探索一條獨具特色且具備科教融合特征的高科技人才培養(yǎng)之路。
孫克輝介紹了中南大學物理學院的基本情況，闡述了學院秉承的“格物致理，創(chuàng)新篤行”的辦院精神，強調學院近年來邁向了高速發(fā)展的新臺階，取得了一批國際領先的科研成果，為相關領域培養(yǎng)了大批領軍人才。物理學ESI世界排名進入前1%，建立了先進的微納加工與器件制造平臺。他表示，希望通過與半導體所共建“黃昆英才班”，共同培養(yǎng)對半導體物理、材料、器件、集成電路感興趣并有志于從事相應領域研究的本科生，為國家輸送半導體領域的高素質人才。
簽訂“黃昆英才班”合作協(xié)議
徐艷坤、孫克輝作為雙方代表正式簽署聯(lián)合創(chuàng)辦“黃昆英才班”協(xié)議。隨后，譚平恒、何軍共同為“黃昆英才班”揭牌。根據(jù)協(xié)議，“黃昆英才班”將通過在中南大學物理學院相關專業(yè)的優(yōu)秀本科生中進行選拔，通過教師、資源等共享的方式，共同培育具有扎實的專業(yè)基礎、卓越創(chuàng)新能力的優(yōu)秀人才。此外，半導體所還設立了“黃昆獎學金”，獎勵在“黃昆英才班”中表現(xiàn)優(yōu)異的學生。
簽約儀式合影
“黃昆英才班”是以我國著名物理學家、教育家、半導體事業(yè)先驅——黃昆先生命名的拔尖人才培養(yǎng)辦學項目，旨在實現(xiàn)中國科學院與高等院校在科教融合方面的優(yōu)勢互補，為國家培養(yǎng)半導體領域具有國際視野的高素質創(chuàng)新型科技人才。項目由半導體所組織，目前已與國內(nèi)20余所重點大學開展了聯(lián)合開班辦學。通過所校深度合作與聯(lián)合培養(yǎng)的方式，雙方共同培育對半導體物理、材料、器件及其集成應用技術懷有濃厚興趣且有志于在相應領域研究的本科生，為相關領域源源不斷地輸送品學兼優(yōu)的后備科研力量。
