[黃昆論壇]第402期： CMOS FET n/p polarity is controlled by DFT Band Alignment of Gate stack Oxides not by the Cation Areal Density
2025-04-21
報告題目： CMOS FET n/p polarity is controlled by DFT Band Alignment of Gate stack Oxides not by the Cation Areal Density
報告人：John Robertson（Engineering Dept, Cambridge University）
報告時間：2025年4月28日 (星期一)? 上午10:00?
報告地點(diǎn)在中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所2號樓351會議室
