半導(dǎo)體芯片物理與技術(shù)全國重點實驗室
中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所于2023年11月30日,以原半導(dǎo)體超晶格國家重點實驗室為主,整合集成光電子學(xué)國家重點實驗室、中科院半導(dǎo)體材料科學(xué)重點實驗室、半導(dǎo)體照明聯(lián)合創(chuàng)新國家重點實驗室、中科院半導(dǎo)體光電器件工程實驗室等5個研究單元中的半導(dǎo)體物理優(yōu)勢力量,形成合力,整合組建“半導(dǎo)體芯片物理與技術(shù)全國重點實驗室”。本實驗室的使命定位是:通過半導(dǎo)體物理源頭和底層進行理論創(chuàng)新,解決摩爾定律物理極限瓶頸,為后摩爾時代半導(dǎo)體芯片技術(shù)提供共性理論和前沿技術(shù)體系,布局下一代芯片的底層技術(shù)核心專利池形成反制,搶占半導(dǎo)體芯片物理的科技制高點,助力實現(xiàn)半導(dǎo)體科技高水平自立自強。實驗室重點布局方向有三個:半導(dǎo)體缺陷與摻雜物理、低維半導(dǎo)體物理和變革性半導(dǎo)體技術(shù)物理。
半導(dǎo)體芯片物理與技術(shù)重點實驗室貫徹院黨組“先定事、后定人”重組精神,積極從海外引進高層次人才,加強青年人才培養(yǎng)。自2021年重組工作以來,從伯克利國家實驗室、芝加哥大學(xué)、蘇黎世理工等世界知名研究機構(gòu)全職引進21位高水平人才,包括青千(海外優(yōu)青)12人;另外,實驗室培育杰青1名、萬人2名、優(yōu)青2名、院青年科學(xué)家獎1名。





